基板内部的单独的芯片完成互连,可将芯片互连的凸点间距缩小到45微米,改善设计的简易性,并降低成本。
Intel四大先进封装技术:既能盖“四合院” 也能建“摩天楼”
二、Foveros
3D封装技术,原理上也不复杂,就是在垂直层面上,一层一层地堆叠独立的模块,类似建摩天大楼一样。
就像大厦需要贯通的管道用于供电供水,Foveros通过复杂的TSV硅穿孔技术,实现垂直层面的互连。
Foveros最早用于Lakefiled处理器,目前正在和EMIB联手用于各类产品,最典型的就是Ponte Vecchio GPU加速器,使用了5种不同工艺、47个不同芯粒。
Intel四大先进封装技术:既能盖“四合院” 也能建“摩天楼”
三、Foveros Omni
下一代封装技术,可实现垂直层面上大芯片、小芯片组合的互连,并将凸点间距继续缩小到25微米。
四、Foveros Direct
使用铜与铜的混合键合,取代会影响数据传输速度的焊接,把凸点间距继续缩小到10微米以下,从而大幅提高芯片互连密度和带宽,并降低电阻。
Foveros Direct还实现了功能单元的分区,使得模块化设计配置灵活、可定制。
Intel四大先进封装技术:既能盖“四合院” 也能建“摩天楼”
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